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- 2SK794 K794 TO-3P場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管散新
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK794 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 50-99 個(gè)
  
  ￥4.00
- 100-499 個(gè)
  
  ￥3.50
- ≥500 個(gè)
  
  ￥3.00
- 詢價(jià)
- K10A60D 場(chǎng)效應(yīng) 10A600V NPN
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K10A60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 功率:/ | 批號(hào):12+
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口2SK1363場(chǎng)效應(yīng)
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1363 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(SI)
- 1000-4999 個(gè)
  
  ￥1.80
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥1.60
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)MOS管TK13A65U 13A650V進(jìn)口
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TK13A65U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 產(chǎn)品類型:其他 | 是否進(jìn)口:是 | 封裝:TO-220
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 2SK1356 高壓場(chǎng)效應(yīng)
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1356 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 封裝形式:2SK1356 | 應(yīng)用范圍:功率
- ≥50 個(gè)
  
  ￥1.99
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng) K1356
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1356 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 3A:900V
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- SSM3K16FS/高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-523
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM3K16FS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- SSM3K09FU/高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-323/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM3K09FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.4A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- SSM3K01T/高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-23/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM3K01T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:3.2A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- 2SK2825/開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-523/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2825 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.25
- 詢價(jià)
- TOS 2SK1120 場(chǎng)效應(yīng) TO-3P
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥7.00
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管.MOS管 2SK3934
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK3934 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥5 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)