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- 2MI50F-050 進(jìn)口FUJI 50A500V MOS場效應(yīng) 模塊
  
  種類:MOS模塊 | 品牌:FUJI | 型號:2MI50F-050
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos模塊
- ≥1 PCS
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口場效應(yīng)管2SK2461 K2461mos管2SK2461 K2461
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2641 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管MOS管 K2761 2SK2761 27611 新源興電子
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號:K2761 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
- ≥10 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- K2652 2SK2652 二三極管 MOS場效應(yīng)先再拍
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2652 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 屬性:屬性值
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：富士mos管二三極管 mos三極管
- 10-99 個(gè)
  
  ￥0.50
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口MOS管場效應(yīng)管MOS場效應(yīng)管2SK2648
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2648 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si)
- ≥10 PCS
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口MOS場效應(yīng)管2SK899
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK899 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si)
- ≥50 PCS
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 富士通 K1522 場效應(yīng) TO-3PL
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號:K1522 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥16.00
- 詢價(jià)
- FUJ 2SK3876-01R 場效應(yīng) TO-3PF
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK3876-01R | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥6.00
- 詢價(jià)
- K3683 進(jìn)口 MOS場效應(yīng) 新源興電子
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號:K3683 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：電子拆機(jī) mos拆機(jī)
- ≥10 個(gè)
  
  ￥0.65
- 詢價(jià)