品牌:Vishay/威世通 | 型號:90N08-04 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個
￥1.00
≥5000 個
￥0.90
類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI4872DY | 功率:/ | 用途:/ | 封裝:SOP8 | 批號:14+
10-99 PCS
￥1.20
≥100 PCS
￥0.80
品牌:Vishay/威世通 | 型號:Si2338DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
≥10 個
￥0.50
品牌:Vishay/威世通 | 型號:Si2302DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 屬性:屬性值
≥10 個
￥0.30
品牌:Vishay/威世通 | 型號:Si4774DY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
10-499 個
￥1.50
≥500 個
￥0.90
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2308DS-T1-E3 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3 個
￥0.65
品牌:Vishay/威世通 | 型號:TP0101T-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
￥0.42
品牌:Vishay/威世通 | 型號:BF994SA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:TUN/調(diào)諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
￥0.35
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1024X | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.25 | 最大漏極電流ID:0.485A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
￥0.40
品牌:Vishay/威世通 | 型號:S525T-GS08 | 種類:其他 | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
￥0.75
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2303DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號:13+ | 封裝:SOT-23
≥10 個
￥0.22
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:場效應(yīng)管 | 集電極最大耗散功率PCM:0.65W | 封裝:SOT23-3
10-999 個
￥0.20
1000-2999 個
￥0.15
≥3000 個
￥0.10