品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3709ZS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-499 個
￥1.85
500-999 個
￥1.65
≥1000 個
￥1.55
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ24NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-499 個
￥1.25
500-999 個
￥1.05
≥1000 個
￥0.96
類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI4872DY | 功率:/ | 用途:/ | 封裝:SOP8 | 批號:14+
10-99 PCS
￥1.20
≥100 PCS
￥0.80
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RTR025N03TL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 原裝正品:原裝正品
10-99 個
￥3.00
100-2999 個
￥2.00
≥3000 個
￥0.85
品牌:ON/安森美 | 型號:NTA4001NT1G | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 漏源電壓:1
10-999 個
￥0.50
1000-2999 個
￥0.40
≥3000 個
￥0.33
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGH80N60FD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個
￥19.00
100-999 個
￥15.20
≥1000 個
￥14.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF2405 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:2009 | 封裝:TO-252
10-2499 個
￥0.90
≥2500 個
￥0.72
品牌:APEC | 型號:AP50N03GH | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型
≥200 個
￥0.65
品牌:ST/意法 | 型號:IRF540 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個
￥0.30
品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2641 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個
￥0.60
品牌:臺產 | 型號:NTD25P03LG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥100 個
￥0.66
品牌:JX | 型號:AP9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1000 個
￥0.50
品牌:JX | 型號:MT9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1000 個
￥0.30
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLR2905 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:2009 | 封裝:TO-252
10-2499 個
￥1.18
≥2500 個
￥0.81
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD8880 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:2007 | 封裝:TO-252
10-2499 個
￥0.90
≥2500 個
￥0.50
品牌:AOKE | 型號:1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1
≥1000 個
￥0.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
￥0.45
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR2130PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道
10-199 個
￥14.50
200-1999 個
￥12.00
≥2000 個
￥11.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:MTP20N20E 20NQ20T P20NF20 FQP10N20C FQPF10N20C IRF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
1-49 個
￥1.20
50-1999 個
￥0.80
≥2000 個
￥0.45
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP27N60K | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥7.50