品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:F76132S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V/前置(輸入級) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個
¥0.30
≥5000 個
¥0.28
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1363 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(SI)
1000-4999 個
¥1.80
≥5000 個
¥1.60
品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:96NQ03LT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個
¥0.35
≥5000 個
¥0.30
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP55N10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-2999 個
¥0.80
≥3000 個
¥0.70
品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:HRF50N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體
1000-4999 個
¥0.30
≥5000 個
¥0.25
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G30N60B3D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
500-999 個
¥3.00
≥1000 個
¥2.80
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:4N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-79 個
¥1.15
80-1999 個
¥1.01
≥2000 個
¥0.95
品牌:國產 | 型號:SI2301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
3-29 K
¥75.00
≥30 K
¥73.00
≥1000 個
¥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:K1388 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥0.55
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO6414 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.60
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PSH71KD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-199 個
¥16.00
200-1999 個
¥13.00
≥2000 個
¥10.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:MOS管 場效應管IRG4PC40WPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個
¥8.50
100-1999 個
¥7.90
≥2000 個
¥7.40
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPF40PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
10-199 個
¥8.50
200-1999 個
¥7.50
≥2000 個
¥6.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPE40PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個
¥11.00
100-1999 個
¥10.00
≥2000 個
¥9.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPC40PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
10-199 個
¥12.80
200-1999 個
¥11.00
≥2000 個
¥9.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4468PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
10-99 個
¥13.00
100-1999 個
¥12.00
≥2000 個
¥9.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4310ZPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
10-199 個
¥10.00
200-1999 個
¥8.90
≥2000 個
¥8.00
品牌:ST/意法 | 型號:STF21NM50N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥0.10
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4476AL | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
¥0.28