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類型:穩壓IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530NPBF | 功率:. | 封裝:T220 | 批號:10+

封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 型號:AOD407 | 材料:N-FET硅N溝道 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 品牌:AOS/美國萬代 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 型號:AO4620 | 材料:P-FET硅P溝道 | 用途:MIX/混頻 | 品牌:AOS/美國萬代 | 溝道類型:N 和 P 溝道，N 和 P 溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB3607PBF | 溝道類型:其他 | 類型:穩壓IC | 功率:0 | 批號:12+ | 封裝:TO-220

類型:通信IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQFP7N60 | 功率:大 | 封裝:TO-220 | 批號:11+

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2648 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si)

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1356 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 3A:900V

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4468PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:Si2338DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:Vishay/威世通 | 型號:Si2302DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 屬性:屬性值

品牌:Vishay/威世通 | 型號:Si4774DY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

種類:集成電路(IC) | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3710PBF | 功率:. | 批號:10+ | 封裝:TO220

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF9393 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF8788 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7853 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7834 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7476 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7328 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7306 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AO | 型號:AO5404E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:資料 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道