品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR9024NTRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥100 個
￥0.90
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7455TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號:以實物為準 | 封裝:SOP8
10-999 個
￥1.50
≥1000 個
￥0.95
≥500 個
￥6.50
品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:FDPF18N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 跨導(dǎo):原廠規(guī)格 | 最大漏極電流:原廠規(guī)格 | 開啟電壓:原廠規(guī)格 | 夾斷電壓:原廠規(guī)格 | 低頻噪聲系數(shù):原廠規(guī)格 | 極間電容:原廠規(guī)格 | 最大耗散功率:原廠規(guī)格
≥1 個
￥4.80
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TR | 型號:2N60(TO-220F) | 材料:硅 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 封裝材料:樹脂封裝
1-10 K
￥800.00
11-49 K
￥700.00
≥50 K
￥650.00
應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:SLT | 型號:50N06 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:180 | 集電極最大允許電流ICM:65 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是
≥100 PCS
￥1.25
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI9630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 屬性:ID=-4.3A VDS=-200V PNP/GDS PD=35W
≥10 個
￥0.15
類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:P40N03 P40NF03L 40T03GP 40N03GP 40N03P | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型
1-19 個
￥1.00
20-499 個
￥0.80
≥500 個
￥0.42
品牌:FUJI/富士通 | 型號:K3683 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥10 個
￥0.65
品牌:PUOLOP | 型號:PTP/F634 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
￥1.38
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:GS8822 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
20-2999 個
￥0.50
≥3000 個
￥0.45
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:SI2302 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:PMBFJ110 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
￥0.68
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:5M0380R | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:33 | 跨導(dǎo):23 | 開啟電壓:33 | 夾斷電壓:22 | 低頻噪聲系數(shù):22 | 極間電容:33 | 最大耗散功率:22
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:場效應(yīng)管 | 集電極最大耗散功率PCM:0.65W | 封裝:SOT23-3
10-999 個
￥0.20
1000-2999 個
￥0.15
≥3000 個
￥0.10