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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G15N60RUFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN340P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:4435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:9.1A | 跨導:1 | 開啟電壓:1-3 | 夾斷電壓:50 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:2.5W

品牌:HX | 型號:7N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK3876-01R | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:J142.J143 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFBE30 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:正品 | 型號:IRLR3110Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:-- | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 類型:其他 | 批號:2014+ | 封裝:SOT252

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN302P /FDN360P | 功率:W | 封裝:SOT23 | 批號:以實物為準

品牌:CHINA | 型號:3D04F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1~3.5 | 備注:全新原裝

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:3010S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10 | 跨導:1 | 開啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:50 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:2.5

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4A（mA） | 跨導:4.7S（μS） | 開啟電壓:2-4（V） | 夾斷電壓:620（V） | 低頻噪聲系數:1（dB） | 極間電容:1（pF） | 最大耗散功率:60W（mW）

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SK4097 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:K4087 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 跨導:600 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:10

品牌:ST/意法 | 型號:P3020 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDT2955 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:場效應管 | 批號:13+長期現貨 | 封裝:SOT223

品牌:SAK日本三肯 | 型號:K3747 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Hitachi/日立 | 型號:K2225 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:HX | 型號:HX4N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:70 | 最大漏極電流:4000 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:10 | 低頻噪聲系數:30 | 極間電容:35 | 最大耗散功率:4