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- BF994SA/雙柵場(chǎng)效應(yīng)管MOS N溝道耗盡型/20V 30mA/SOT-143/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):BF994SA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:TUN/調(diào)諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- BF909R/雙柵極 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS 7V 40mA SOT-143R/飛利浦
  
  品牌:NXP/恩智浦 | 型號(hào):BF909R | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān)
- ≥3000 千克
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- FAIRCHILD仙童進(jìn)口場(chǎng)效應(yīng) FQU11P06TU 11P06
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQU11P06TU 11P06 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:22 | 跨導(dǎo):22 | 開啟電壓:22
- ≥1 個(gè)
  
  ￥9.00
- 詢價(jià)
- SSM3K16FS/高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-523
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM3K16FS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- SSM3K09FU/高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-323/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM3K09FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.4A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- SSM3K01T/高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-23/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM3K01T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:3.2A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- SI1024X/開關(guān) 驅(qū)動(dòng)/復(fù)合雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-563
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI1024X | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.25 | 最大漏極電流ID:0.485A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- S525T-GS08/高頻應(yīng)用/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-23
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):S525T-GS08 | 種類:其他 | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:20V
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.75
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管IGBT KGH25N120 TO-3P
  
  品牌:KEC | 型號(hào):KGH25N120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
- ≥100 個(gè)
  
  ￥15.00
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 BUZ90AF TO-220F
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):BUZ90AF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥100 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢價(jià)
- IRF840場(chǎng)效應(yīng)
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500
  
  ￥0.67
- 詢價(jià)
- STW8NK80Z ST場(chǎng)效應(yīng) 800V 8A 150W
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW8NK80Z. | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:TO-247-3 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥20 個(gè)
  
  ￥3.80
- 詢價(jià)
- AOS/美國萬代場(chǎng)效應(yīng)管MOS管AO3415A
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AO3415 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場(chǎng)效應(yīng)管美國mos管萬代mos管
- 100-999 個(gè)
  
  ￥0.50
- 1000-2999 個(gè)
  
  ￥0.30
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.22
- 詢價(jià)
- 2SK3107/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS 30V 0.1A SOT-523/高速開關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK3107 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- 2SK2825/開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-523/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2825 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.25
- 詢價(jià)
- 2SK1839/N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS 30V 100mA SOT-323/模擬開關(guān)/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):2SK1839 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.25
- 詢價(jià)
- 2SK1772/N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS 30V 1A SOT-89/高速電源開關(guān)/HITACHI
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK1772 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- si2304 SOT-23 MOS管_場(chǎng)效應(yīng)管 _龍晶微
  
  品牌:其他 | 型號(hào):si2304 SOT-23 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥3 K
  
  ￥110.00
- 詢價(jià)
- 8205A TSSOP-8 MOS管_場(chǎng)效應(yīng)管 _龍晶微
  
  品牌:龍晶微 | 型號(hào):8205A TSSOP-8 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥5 K
  
  ￥220.00
- 詢價(jià)
- BSS138LT1G電子元器件 BSS138 SOT-23 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 ON品牌
  
  品牌:ON/安森美 | 型號(hào):BSS138LT1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 件
  
  ￥0.08
- 詢價(jià)

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