品牌:AO/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO3400 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:85000MA | 開啟電壓:25V | 夾斷電壓:30V
1-1 K
￥200.00
2-2 K
￥190.00
≥3 K
￥175.00
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AOTF8N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 應(yīng)用范圍:其他
品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號(hào):AO3409 AO3413 AO3415 AO3418 AO3419 AO3420 AO3460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:2.6A | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:20
≥10 個(gè)
￥0.35
品牌:AO/萬代 | 型號(hào):AO3401 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 產(chǎn)品類型:限幅二極管 | 工作溫度范圍:0 | 針腳數(shù):3
≥3000 個(gè)
￥0.40
品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號(hào):AOD604 AOD604L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:8A | 開啟電壓:40 | 夾斷電壓:-40
≥1 個(gè)
￥1.00