品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:AOTF10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
￥1.70
品牌:萬代 | 型號:3400 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 備注:5.8A 30V | 年份:2012
≥3000 個
￥0.24
品牌:AO | 型號:AO4435A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
￥0.20
品牌:AO | 型號:AO3403 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥3000 個
￥0.20
類型:其他IC | 品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO8810 | 處理器速度:22 | 存儲容量:22 | 電源電流:22 | 電源電壓:22 | 功率:22 | 頻率:2 | 驅動芯片類型:2 | 針腳數:8 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:SOP8 | 批號:新年份 | 最大漏極電流:33 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數:33
≥1 個
￥0.55
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4420 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:33 | 跨導:33 | 開啟電壓:33 | 夾斷電壓:33 | 低頻噪聲系數:33 | 極間電容:33 | 最大耗散功率:33