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品牌:ST/意法 | 型號:IRF630M | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220 | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STB19NB20T4 | 用途:SW-REG/開關電源 | 最大漏極電流:19A | 開啟電壓:2-4 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:0 | 導電方式:增強型 | 最大耗散功率:125W

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630FP | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220F | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220 | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630★★信譽，無可替代的財富!供應IC三極管原裝正品★★ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 夾斷電壓:N/A

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630MFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12 | 封裝:220

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630FP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630MPF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:9000 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630/IRF630FP TO-220/F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1