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- 場效應管IRF630,IRF634
  
  品牌:IR，Fairchild，ST | 型號:IRF630，IRF634，IRF640，IRF650 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:2.5 | 夾斷電壓:250 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- 100-999 個
  
  ￥0.25
- ≥1000 個
  
  ￥0.20
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- 場效應管 STB19NB20T4/B19NB20可代用IRF640NS/IRF640S/IRF630NS
  
  類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STB19NB20T4 | 用途:SW-REG/開關電源 | 最大漏極電流:19A | 開啟電壓:2-4 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:0 | 導電方式:增強型 | 最大耗散功率:125W
- ≥1000 個
  
  ￥1.50
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- IRF630NPBF 50只/管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個
  
  ￥1.03
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- IRF630NPBF場效應管,億瑞電子
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:0.25 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:200 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥100 個
  
  ￥1.70
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- IRF630B Fairchild仙童，億瑞電子
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:350 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥50 個
  
  ￥1.50
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- 場效應管 ”IRF630
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630PBF★★信譽，無可替代的財富!供應IC三極管全新原裝正品★★ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 夾斷電壓:200V
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- 場效應管IRF630N功放管電話秒發
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:- | 低頻噪聲系數:- | 極間電容:-
- 50-99 個
  
  ￥2.10
- ≥100 個
  
  ￥2.00
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- IRF630 IRF640 IRF630PBF IRF640PBF MOS
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF640 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥50 個
  
  ￥1.50
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- IRF630N
  
  品牌:IR | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
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- IRF630NPBF 場效應管（MOSFET）
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 年份:12+PBF
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- IRF630 IRF630N IRF630NPBF 場效應管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝:TO220 | 年份:13+PBF
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- MOSFET場效應管，IRF630NPBF
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
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- IRF630NPBF TO-220 MOSFET N溝道場效應
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
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- IRF630NPBF
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1000 個
  
  ￥1.80
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- FAIRCHILD仙童MOS管 IRF630B 進口IRF630
  
  品牌:仙童/FAIRCHILD | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥0.90
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- IR系列MOS管場效應管IRF630PBF
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:MOS管場效應管IRF630PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 50-499 個
  
  ￥1.30
- 500-1999 個
  
  ￥1.25
- ≥2000 個
  
  ￥1.20
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- IR系列MOS管場效應管 IRF630NPBF
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 10-199 個
  
  ￥1.70
- 200-2999 個
  
  ￥1.25
- ≥3000 個
  
  ￥0.90
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- 100%，IRF630NPBF
  
  品牌:IR/VISHAY | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 1-9 個
  
  ￥1.30
- ≥10 個
  
  ￥1.20
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- ST場效應管 IRF630 TO-220 200V/9A
  
  品牌:ST/意法 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1000 個
  
  ￥111.00
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- IR場效應管，IRF630npbf/200V,9.5A,82W
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630npbf | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220
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