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類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 用途:CC/恒流 | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:1 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF610N IRF620N IRF630N IRF640N IRF650 IRF710 IRF7 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF630SPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:JZ 集正 | 型號:IRF630 封裝TO-220 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:SEMIWILL | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/FSC | 型號:IRF630N/B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:20

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF730N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 關斷速度:普通 | 極數:三極

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530NPBF IRF540NPBF IRF630NPBF IRF640NPBF IRF730 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 屬性:.

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導:原廠規格 | 開啟電壓:原廠規格 | 夾斷電壓:原廠規格

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準

品牌:IR/國際整流器 | 型號:CJ950P RDA6232 TAAC686K016 IRLMS2002TRPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:標準 | 截止頻率fT:ER1604FCT ER1604CT