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- 場效應管IRF630,IRF634
  
  品牌:IR，Fairchild，ST | 型號:IRF630，IRF634，IRF640，IRF650 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:2.5 | 夾斷電壓:250 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- 100-999 個
  
  ￥0.25
- ≥1000 個
  
  ￥0.20
- 詢價
- 8年 IRF630N IRF630NPBF 場效應管 IR系列
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批次:12+ | 封裝:TO-220
- ≥1000 個
  
  ￥1.15
- 詢價
- 場效應管 STB19NB20T4/B19NB20可代用IRF640NS/IRF640S/IRF630NS
  
  類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STB19NB20T4 | 用途:SW-REG/開關電源 | 最大漏極電流:19A | 開啟電壓:2-4 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:0 | 導電方式:增強型 | 最大耗散功率:125W
- ≥1000 個
  
  ￥1.50
- 詢價
- IR國際整流器MOSFET場效應管IRF630NS
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 詢價
- 100%IRFS630B IRF630 TO-220F
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRFS630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1000 個
  
  ￥1.10
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- 場效應管IRF640[進口]
  
  品牌:IR ST | 型號:IRF640 IRF630 IRF540 IRF530 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:.. | 開啟電壓:... | 夾斷電壓:... | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:.. | 最大耗散功率:.. | 低頻跨導:..
- ≥1000 個
  
  ￥0.30
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- IR場效應管 IRF630NPBF
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3 | 開啟電壓:200 | 低頻噪聲系數:0
- 100-499 個
  
  ￥1.50
- 500-999 個
  
  ￥1.30
- ≥1000 個
  
  ￥1.25
- 詢價
- 『實體』 IRF630NS N溝道 200v 9A SOT-263 貼片 IR環保
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- 500-1999 個
  
  ￥1.90
- 2000-19999 個
  
  ￥1.80
- ≥20000 個
  
  ￥1.70
- 詢價
- IRF630 場效應管晶體管
  
  品牌:CH | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 10-100 個
  
  ￥3.50
- 101-1000 個
  
  ￥3.00
- ≥1001 個
  
  ￥2.45
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- IRF630N 場效應管 MOSFET 200V 9.5A TO-220
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個
  
  ￥1.15
- 詢價
- IRF630NPBF 50只/管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個
  
  ￥1.03
- 詢價
- IRF630NPBF場效應管,億瑞電子
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:0.25 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:200 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥100 個
  
  ￥1.70
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- IRF630B Fairchild仙童，億瑞電子
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:350 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥50 個
  
  ￥1.50
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- 場效應管IRF630,IRF640
  
  品牌:IR等各進口廠家 | 型號:全新及拆機IRF632，IRF631，IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個
  
  ￥0.30
- 詢價
- 場效應管 ”IRF630
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630PBF★★信譽，無可替代的財富!供應IC三極管全新原裝正品★★ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 夾斷電壓:200V
- 詢價
- 場效應管IRF630N功放管電話秒發
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:- | 低頻噪聲系數:- | 極間電容:-
- 50-99 個
  
  ￥2.10
- ≥100 個
  
  ￥2.00
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- IRF630NS
  
  品牌:IR | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥50 個
  
  ￥5.00
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- IRF630 IRF640 IRF630PBF IRF640PBF MOS
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF640 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥50 個
  
  ￥1.50
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- IRF630 TO-220 APEC/富鼎場效應MOS管
  
  品牌:APEC/富鼎 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥50 個
  
  ￥0.20
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- IRF630N
  
  品牌:IR | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 詢價