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品牌:AMS美國微系統 | 型號:IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:+- | 低頻噪聲系數:+- | 低頻跨導:+-

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/VISHAY | 型號:IRF630NPBF | 功率:標準 | 封裝:TO-220 | 批號:全新原裝環保

品牌:IRF630NPBF | 型號:IRF630NPBF | 種類:IRF630NPBF | 溝道類型:IRF630NPBF | 導電方式:IRF630NPBF

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 功率:- | 用途:儀器 | 封裝:TO-220 | 批號:12

類型:其他IC | 品牌:國產 | 型號:IRF640 | 用途:閃燈 | 封裝:TO-220 | 批號:最新

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(SI)

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 用途:A/寬頻帶放大，A/寬頻帶放大 | 封裝:TO220 | 批號:1244+

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功耗:82W | 在電阻RDS（上）:300mohm | 工作溫度:-55°C 到 +175°C

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

建議零售價:¥0.00 | 類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 功率:Z | 封裝:TO-220 | 批號:14+

品牌:IR/國際整流器 | 型號:MOS管 場效應管IRF630PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道