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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF?????????? | 功率:11+ | 用途:電腦 | 封裝:TO-3P | 批號:11+

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.5 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530NPBF IRF540NPBF IRF630NPBF IRF640NPBF IRF730 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 屬性:.

品牌:HX | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導體

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630PBF | 功率:DA | 封裝:to-220 | 批號:11+

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 溝道類型:其他 | 用途:. | 備注:. | 產品類型:其他 | 是否進口:是 | 主要參數:. | 是否提供加工定制:否

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導:原廠規格 | 開啟電壓:原廠規格 | 夾斷電壓:原廠規格

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:IRF630B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 最大漏極電流:原廠規格 | 低頻噪聲系數:原廠規格 | 極間電容:原廠規格

品牌:IR/國際整流器 | 型號:K3566 K3569 IRF630 IRF640 IRFI520 IRFI540 IRFI530 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:12A | 低頻噪聲系數:· | 極間電容:·

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF TO-220 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF740PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準

品牌:IR/國際整流器 | 型號:CJ950P RDA6232 TAAC686K016 IRLMS2002TRPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:標準 | 截止頻率fT:ER1604FCT ER1604CT

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:BF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:7A（mA） | 低頻噪聲系數:1（dB） | 極間電容:1（pF）

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:9000 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630MPF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:9000 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0