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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:穩壓IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 功率:0 | 封裝:TO-220 | 批號:12+

品牌:SEMIWILL | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF640B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

類型:穩壓IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 功率:. | 封裝:TO-220 | 批號:11+

品牌:IR/FSC | 型號:IRF630N/B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 極限電壓:200 | 封裝:TO-220 | 極限電流:36

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 封裝:TO-220AB | 批號:12+ | 產品:IRF630NPBF

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:20

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630npbf | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 封裝:TO-220 | 批號:15+

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/IR | 型號:IRF630 | 溝道類型:其他 | 用途:儀器 | 類型:其他IC | 功率:000 | 批號:2012+ | 封裝:TO-220，TO-220F

類型:其他IC | 品牌:國產 | 型號:IRF630 | 封裝:DIP | 批號:12+

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF630PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道