品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3 | 開啟電壓:200 | 低頻噪聲系數:0
100-499 個
￥1.50
500-999 個
￥1.30
≥1000 個
￥1.25
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
500-1999 個
￥1.90
2000-19999 個
￥1.80
≥20000 個
￥1.70
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-499 個
￥2.85
500-999 個
￥2.65
≥1000 個
￥2.45
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥2.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
￥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功耗:82W | 在電阻RDS（上）:300mohm | 工作溫度:-55°C 到 +175°C
≥50 個
￥2.15
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
￥1.38
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
≥50 個
￥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥1.50
品牌:ST/意法 | 型號:IRF630/IRF630FP TO-220/F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1 個
￥1.60
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 備注:11 | 產品類型:穩壓管 | 是否進口:是
≥100 個
￥2.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840B IRF830B IRF730B IRF740B IRF630B IRF640B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220
≥5 個
￥1.00