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- 環(huán)保 IRF630NPBF,IRF630
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF，IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.60
- 詢價(jià)
- IRF630
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220AB | 發(fā)貨期限:3 | 應(yīng)用范圍:放大
- 詢價(jià)
- IRF630S
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630S | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-263 | 類別:貼片 | 發(fā)貨期限:3 | 應(yīng)用范圍:開關(guān)
- 詢價(jià)
- 8年 IRF630N IRF630NPBF 場效應(yīng)管 IR系列
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批次:12+ | 封裝:TO-220
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.15
- 詢價(jià)
- IRF630NSTRR
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NSTRR | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-263 | 發(fā)貨期限:3 | 應(yīng)用范圍:放大
- 詢價(jià)
- IRF640NPBF IRF530N IRF630N IRF540N 場效應(yīng)管肖特基
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640NPBF | 功率:0 | 用途:影碟機(jī) | 封裝:TO-220 | 批號:2013+ | 最大漏極電流:0 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irf540n場效應(yīng)管 irf630n場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.61
- 詢價(jià)
- IRF630B
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630B | 溝道類型:其他 | 封裝形式:其他 | 產(chǎn)品類型:肖特基管 | 發(fā)貨期限:3 | 封裝材料:金屬封裝 | 裝配方式:其他
- 詢價(jià)
- IR國際整流器MOSFET場效應(yīng)管IRF630NS
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 詢價(jià)
- IR場效應(yīng)管 IRF630NPBF
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3 | 開啟電壓:200 | 低頻噪聲系數(shù):0
- 100-499 個(gè)
  
  ￥1.50
- 500-999 個(gè)
  
  ￥1.30
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.25
- 詢價(jià)
- 『實(shí)體』 IRF630NS N溝道 200v 9A SOT-263 貼片 IR環(huán)保
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- 500-1999 個(gè)
  
  ￥1.90
- 2000-19999 個(gè)
  
  ￥1.80
- ≥20000 個(gè)
  
  ￥1.70
- 詢價(jià)
- IRF630N 場效應(yīng)管 MOSFET 200V 9.5A TO-220
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥1.15
- 詢價(jià)
- IRF630NPBF 50只/管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥1.03
- 詢價(jià)
- IRF630NPBF場效應(yīng)管,億瑞電子
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):1 | 最大漏極電流:0.25 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:200 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.70
- 詢價(jià)
- I IRF1018ESPBF IRF1018EPBF
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1018ESPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:630 | 最大耗散功率:110
- ≥10 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管IRF630 IRF630N
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 用途:CC/恒流 | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:1 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導(dǎo):1
- ≥100 個(gè)
  
  ￥3.00
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管IRF630NPBF
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導(dǎo):1
- ≥100 個(gè)
  
  ￥3.00
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管 ”IRF630
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630PBF★★信譽(yù)，無可替代的財(cái)富!供應(yīng)IC三極管全新原裝正品★★ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 夾斷電壓:200V
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 特色標(biāo)志:現(xiàn)貨 | 發(fā)貨期限:3 | 封裝:TO-220
- 詢價(jià)
- IRF630
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220 | 發(fā)貨期限:3 | 應(yīng)用范圍:放大
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管IRF630N功放管電話秒發(fā)
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:- | 低頻噪聲系數(shù):- | 極間電容:-
- 50-99 個(gè)
  
  ￥2.10
- ≥100 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)

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