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品牌:CS52015-3.3V FQPF4N90C RFP25N06 FQPF6N60 | 型號:BD238-S FQPF5N60C RFP3055LE HUF75332P3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:STP24NF10 BTB12-600BWRG STB11NM60A-1 TYN825RG | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | SKP10N60A:FDPF12N50FT SB1060CT IRF630B FQPF22N30 | FQP70N08:FDP6676 RHRP3060 HUF75645P3 FEP16JTA | 芯數:2SD1803 RFP2N10L HUF75333P3 D44H11

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRFS630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR ST | 型號:IRF640 IRF630 IRF540 IRF530 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:.. | 開啟電壓:... | 夾斷電壓:... | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:.. | 最大耗散功率:.. | 低頻跨導:..

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3 | 開啟電壓:200 | 低頻噪聲系數:0

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:CH | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:IRF630B代用10N20C | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220 | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:0.25 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:200 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:350 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:IR等各進口廠家 | 型號:全新及拆機IRF632，IRF631，IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1018ESPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:630 | 最大耗散功率:110

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N | 用途:CC/恒流 | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:1 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630FP | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220F | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大

品牌:ST/意法 | 型號:IRF630 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220 | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大