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品牌:ST/意法 | 型號:IRF630★★信譽，無可替代的財富!供應IC三極管原裝正品★★ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 夾斷電壓:N/A

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF630A★★信譽，無可替代的財富!供應IC三極管全新原裝正品★★ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 夾斷電壓:200V

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630PBF★★信譽，無可替代的財富!供應IC三極管全新原裝正品★★ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 夾斷電壓:200V

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 特色標志:現貨 | 發貨期限:3 | 封裝:TO-220

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220 | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大

品牌:PHI IR ST SEC | 型號:IRF630 | 發貨期限:1 | 封裝:TO-220 TO-3P T0-251 T0-126

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:- | 低頻噪聲系數:- | 極間電容:-

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640N，IRF640NPBF，IRF640PBF，IRF610，IRF630NPBF，IRF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR | 型號:IRF630NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630N/IRF640N/IRF640NSTRR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 1:1

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF640 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:APEC/富鼎 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:VISHAY | 型號:IRF630PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型

品牌:ROHM | 型號:MOSFET，場效應管，IRF630RL02 200V 9A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR | 型號:MOSFET，場效應管，IRF630S  200V 9A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR | 型號:IRF630NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道