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品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF840ASTRL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220AB | 類別:直插 | 發(fā)貨期限:3 | 應用范圍:開關(guān)

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF830 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導:0 | 最大漏極電流:0 | 開啟電壓:0 | 夾斷電壓:0 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0 | 最大耗散功率:0

品牌:PHI IR ST SEC | 型號:IRF840A/B | 發(fā)貨期限:1 | 封裝:TO-220 TO-3P T0-251 T0-126

品牌:VISHAY | 型號:IRF840PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR | 型號:IRF840ASTRL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:VISHAY | 型號:IRF840APBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840ASTRL IRF840AS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:VISHAY | 型號:IRF840PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝:TO-220

類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRF840PBF | 功率:W | 用途:其他 | 封裝:TO-220 | 批號:13+全新

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF840ASTRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:穩(wěn)壓IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840APBF | 功率:- | 封裝:TO-220 | 批號:11