品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF530 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 年份:NEW
類型:其他IC | 品牌:IR-VISHAY | 型號(hào):IRFP460 | 封裝:TO-3P | 批號(hào):2013+
≥1 PCS
￥5.50
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC
≥500 個(gè)
￥0.50
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRL3803S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC
≥500 個(gè)
￥0.50
品牌:FAIRCHILD/FSC | 型號(hào):FDS8958A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 產(chǎn)品類型:其他 | 是否進(jìn)口:是 | 封裝:SMD/DIP
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDI038AN06AO | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC
≥100 個(gè)
￥0.40
品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):RJU003N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.3A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產(chǎn)品類型:其他
≥3000 個(gè)
￥0.30
品牌:ZET英國(guó)XETEX | 型號(hào):BSS138TA | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 跨導(dǎo):/ | 最大漏極電流:/ | 開(kāi)啟電壓:/ | 夾斷電壓:/ | 低頻噪聲系數(shù):/ | 極間電容:/ | 最大耗散功率:/
≥3000 個(gè)
￥0.10
品牌:AO | 型號(hào):AO3400 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):12 | 封裝:貼片SOT23
≥100 個(gè)
￥0.30
類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF530N | 功率:. | 用途:HA/行輸出級(jí) | 封裝:to220 | 批號(hào):. | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:17 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥100 個(gè)
￥1.25
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRFU224B IRFR224 IRFR220 IRFR210 IRFR230 IRFR310 I | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:LMP-C/阻抗變換 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 屬性:.
≥100 個(gè)
￥0.90
品牌:其他 | 型號(hào):ALD6018CT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MAP/匹配對(duì)管 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1000-4999 個(gè)
￥1.00
5000-9999 個(gè)
￥0.90
≥10000 個(gè)
￥0.80
類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF840PBF | 功率:中功率 | 用途:音響 | 封裝:TO220 | 批號(hào):11+ | 是否提供加工定制:否
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF1404PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):以實(shí)物為準(zhǔn) | 封裝:TO-220
10-499 個(gè)
￥2.00
≥500 個(gè)
￥1.80
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFZ24N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開(kāi)啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥500 個(gè)
￥0.40
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI4366 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 類型:其他IC | 批號(hào):12+ | 封裝:SOP8
10-999 個(gè)
￥1.00
≥1000 個(gè)
￥0.50
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB52N15D | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:ZF/中放 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC
≥10 個(gè)
￥5.23
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRLML2502TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):以實(shí)物為準(zhǔn) | 封裝:SOT-23
10-999 個(gè)
￥0.60
≥1000 個(gè)
￥0.32
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF7807TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):以實(shí)物為準(zhǔn) | 封裝:SOP8
10-999 個(gè)
￥3.50
≥1000 個(gè)
￥3.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF2807PBF TO-220AB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
≥1 個(gè)
￥1.10