品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460APBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
1000-4999 千克
¥0.50
5000-9999 千克
¥0.49
≥10000 千克
¥0.48
品牌:KEC | 型號:2N7002A-RTK | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型
≥1 個
¥0.09
品牌:FH/風華 | 型號:FHP2N60 TO-220 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個
¥0.72
≥5000 個
¥0.70
品牌:ANALOGIC | 型號:AAT9060 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥0.62
品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
5000-14999 個
¥1.58
15000-29999 個
¥1.56
≥30000 個
¥1.55
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPB80N06S2L-H5/2N06LH5 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個
¥4.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2009 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 內置:高速開關
≥3000 個
¥0.45
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-2499 個
¥1.11
2500-9999 個
¥0.97
≥10000 個
¥0.91
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 年份:NEW
品牌:OGFD | 型號:3400L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.02
品牌:FUJI/富士通 | 型號:K2645 2SK2645 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HG/高跨導 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
¥0.70
品牌:OGFD | 型號:6703 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N 和 P 溝道,N 和 P 溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個
¥0.01
品牌:韓國信安Truesemi | 型號:IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
100-499 個
¥0.95
500-999 個
¥0.90
≥1000 個
¥0.85
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD496 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
1-4999 個
¥0.60
≥5000 個
¥0.58
品牌:ST/意法 | 型號:BD436 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 功率:4A/32V | 批號:14+ | 封裝:TO-126
≥1 個
¥0.30
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGIB15B60KD1PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個
¥0.12
5000-9999 個
¥0.11
≥10000 個
¥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PSH71KD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個
¥0.12
5000-9999 個
¥0.11
≥10000 個
¥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PC50WPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:原廠
500-999 個
¥6.50
1000-4999 個
¥6.45
≥5000 個
¥6.40
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB52N15DPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個
¥0.12
5000-9999 個
¥0.11
≥10000 個
¥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4212PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個
¥0.12
5000-9999 個
¥0.11
≥10000 個
¥0.10