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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGP50B60PD1PF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:100 | 低頻噪聲系數:50 | 極間電容:1000

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP32N50K | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:30 | 低頻噪聲系數:50 | 極間電容:1000

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP9140NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:30 | 低頻噪聲系數:50 | 極間電容:1000

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP360 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:30 | 低頻噪聲系數:50 | 極間電容:1000

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:RHRP15120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:11+ | 封裝:TO-220

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:30 | 低頻噪聲系數:50 | 極間電容:1000

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2000 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:.

品牌:IR | 型號:IRLR024N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO7407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK1579 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:RENESAS/瑞薩 | 型號:RJK0822SPN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 主要參數:ID=80A， VDSS=80V， RDS(on)=9.8mΩ， PD=100W

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF510 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP60NF06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:11N80C3 11N80S5 SPW11N80C3 11N60C3 20N60C3 15N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:11A | 低頻噪聲系數:` | 極間電容:`

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RK7002B T116 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.25 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:60 | 最大耗散功率:0.2

品牌:美格納 | 型號:MDF4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:原廠規格 | 低頻噪聲系數:原廠規格 | 極間電容:原廠規格