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品牌:PJ/普羅強生 | 型號:1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1（mA） | 跨導:1.3S（μS） | 開啟電壓:2-4（V） | 夾斷電壓:630（V） | 低頻噪聲系數:1（dB） | 極間電容:1（pF） | 最大耗散功率:30W（mW）

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:10N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10A（mA） | 跨導:8.2S（μS） | 開啟電壓:2-4（V） | 夾斷電壓:670（V） | 低頻噪聲系數:1（dB） | 極間電容:1（pF） | 最大耗散功率:125W（mW）

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD1N60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:11+ | 封裝:TO

品牌:臺灣震陽 | 型號:Z9926 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 跨導:50 | 最大漏極電流:4.6A | 極間電容:562

品牌:AO | 型號:AO4946 AO4932 AO4468 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:1

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400 AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ON/安森美 | 型號:NTS2101PT1G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 開啟電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:*

品牌:FJD日本富士電機 | 型號:ESAD92-02 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 跨導:0.1 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:5

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4710 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:20 | 跨導:25 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:425 | 最大耗散功率:218

品牌:WJ | 型號:IRFR220 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 最大漏極電流:0.1 | 跨導:0.1 | 開啟電壓:0.1 | 夾斷電壓:0.1 | 低頻噪聲系數:0.1 | 極間電容:0.1 | 最大耗散功率:0.1

品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:2SK1631 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:IR VISHAY | 型號:IRFL014 IRFL014TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1800 | 跨導:0 | 開啟電壓:60 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0 | 最大耗散功率:0

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Motorola/摩托羅拉 | 型號:MTD3302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:進口 | 型號:7N60C3 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | N:N

品牌:IR/國際整流器 | 型號:75NF75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | n:n

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDA24N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F