品牌:藍箭 | 型號:BR50N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 夾斷電壓:60
≥1000 個
¥0.10
品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK3532 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:600 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1
100-999 個
¥3.00
≥1000 個
¥2.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:*
≥500 個
¥0.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:8N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥0.80
品牌:長電 | 型號:CJ2321 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2SD406 D9N05CL | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5
≥50 個
¥0.01
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR9020N IRFR9020 IRFR9020TRPBF FR9020 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MIN/微型 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:-9.9A | 開啟電壓:-50
≥100 個
¥0.80
品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOD442 AOD442L | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | .:.
≥1000 個
¥1.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLML2803TRPBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
10-24999 個
¥1.00
≥25000 個
¥0.60
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFU430A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-2499 個
¥2.00
≥2500 個
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPF50PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-2499 個
¥2.00
≥2500 個
¥1.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ48VPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-24999 個
¥3.00
≥25000 個
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF9610 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-2499 個
¥3.00
≥2500 個
¥2.00
≥100 個
¥1.00
品牌:AOS美國萬代 | 型號:AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:22N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥1.00
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI4366 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:SOP8
10-999 個
¥1.00
≥1000 個
¥0.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4710 IRFP4710PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥50 個
¥6.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB52N15D | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:ZF/中放 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC
≥10 個
¥5.23
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PSH71K | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1 個
¥1.00