品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRFU224B IRFR224 IRFR220 IRFR210 IRFR230 IRFR310 I | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:LMP-C/阻抗變換 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 屬性:.
≥100 個
¥0.90
品牌:ir等進口 | 型號:irf840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:8 | 低頻噪聲系數:低 | 極間電容:標準
100-999 個
¥0.55
≥1000 個
¥0.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:irfz44n irfz44 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:49 | 低頻噪聲系數:低 | 極間電容:標準
100-999 個
¥0.50
≥1000 個
¥0.40
品牌:PJ/普羅強生 | 型號:BF730 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:6A | 跨導:4.5 | 開啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:430 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:75W
≥100 個
¥0.01
品牌:PJ/普羅強生 | 型號:BF3410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:17A(mA) | 跨導:1(μS) | 開啟電壓:1-2(V) | 夾斷電壓:120(V) | 低頻噪聲系數:1(dB) | 極間電容:1(pF) | 最大耗散功率:80W(mW)
≥100 個
¥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP6N60C FQP6N60 FQPF6N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SYM/對稱類 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:6.2A | 開啟電壓:600 | 極間電容:10
≥10 個
¥1.70
品牌:PJ/普羅強生 | 型號:2N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2A(mA) | 跨導:2.05S(μS) | 開啟電壓:2-4(V) | 夾斷電壓:630(V) | 低頻噪聲系數:1(dB) | 極間電容:1(pF) | 最大耗散功率:50W(mW)
≥100 個
¥0.01
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥1.00
品牌:DIODES/美臺 | 型號:2N7002VA-7 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.23
品牌:HX | 型號:HX2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導:70 | 最大漏極電流:1900 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數:30 | 極間電容:30 | 最大耗散功率:44000
2500-9999 個
¥0.56
10000-49999 個
¥0.50
≥50000 個
¥0.47
品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP9575GH 9575GH | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HA/行輸出級 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:15A | 開啟電壓:60 | 最大耗散功率:31.3W
≥3000 個
¥1.15
品牌:其他 | 型號:ALD6018CT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1000-4999 個
¥1.00
5000-9999 個
¥0.90
≥10000 個
¥0.80
品牌:BYD(比亞迪) | 型號:BF910N60(TO-220F) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:FORTUNE/臺灣富晶 | 型號:FS8205A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1
≥3000 個
¥0.10
品牌:ZMX | 型號:ZMX7002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥3500 個
¥0.10
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20N60C3 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥100 個
¥1.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF13N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥20 個
¥2.30
品牌:KEC | 型號:2SK4145 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:400 | 跨導:3 | 開啟電壓:60 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數:350 | 極間電容:26 | 最大耗散功率:800
≥1000 個
¥1.45
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840PBF | 功率:中功率 | 用途:音響 | 封裝:TO220 | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否