品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF840,IRF830 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥1000 個
¥0.75
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF830,IRF840,IRF740,IRF730 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥1000 個
¥0.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBFJ309LT1 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UHF/超高頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
¥0.85
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBFJ202 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N 溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.35W | 最大柵漏電壓VGDS:40V | 漏極電流IDSS:0.9~4.5mA
≥3000 個
¥0.95
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDG326P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最大耗散功率Pd:0.75W | 最大漏極電流Id:-1.5A
≥3000 個
¥0.60
品牌:進口/臺灣/國產(chǎn) | 型號:FQD12P10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDG313N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.45
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC642P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 最大漏極電流Id:-4A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W
≥3000 個
¥0.70
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC653N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
≥3000 個
¥0.45
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC638P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-2.8A | 最大源漏電壓Vds:-20V
≥3000 個
¥0.68
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC634P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流Id:-3.5A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W
≥3000 個
¥0.55
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDJ129 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-4.2A | 最大源漏電壓Vds:-20V
≥3000 個
¥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD5N50 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥0.94
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD14AN06LA0 仙童MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD1117-2.5 FDD120AN15A0 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:詳情咨詢客服 | 低頻噪聲系數(shù):詳情咨詢客服 | 極間電容:詳情咨詢客服
≥1 個
¥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDB7030L 仙童MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDB6N60 仙童MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD8P10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDB8445 仙童MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.00
品牌:FSC | 型號:FQT13N06L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:場效應管 | 批號:2013+ | 封裝:SOT-223
≥1000 個
¥1.12