品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA11N90C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥20 個
¥4.89
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF12N60C 12N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥4.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDPF51N25 51N25 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥6.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF840B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥0.42
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA70N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:2011 | 封裝:TO-3P
≥5 個
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF8N60C 8N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥3.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF5N60C 5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥1.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C 2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF5N60C 5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥1.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDPF51N25 51N25 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥6.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:7N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC
3000-4999 個
¥0.78
≥5000 個
¥0.75
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQB12N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | .:.
≥1 個
¥1.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FSDH321 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 批號:10+ | 產(chǎn)品類型:其他 | 封裝:DIP-8
1000-1999 個
¥0.90
≥2000 個
¥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA28N50F | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99
¥12.00
≥100
¥11.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SGL160N60UFDTU | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:160 | 低頻噪聲系數(shù):160 | 極間電容:160
≥1 個
¥15.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:RHR660 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅(qū)動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-252
≥5000 個
¥1.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSS7N60A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)
≥1000 個
¥0.75
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA90N15 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥11.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSP7N60A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個
¥0.45
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP45P03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:45A | 低頻噪聲系數(shù):` | 極間電容:`
≥10 個
¥2.00