- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄22044 > LFX200EB-04FN256I (Lattice Semiconductor Corporation)IC FPGA 200K GATES 256-BGA PDF資料下載
參數資料
| 型號： | LFX200EB-04FN256I |
| 廠商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件頁數： | 29/119頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 200K GATES 256-BGA |
| 標準包裝： | 90 |
| 系列： | ispXPGA® |
| 邏輯元件/單元數： | 2704 |
| RAM 位總計： | 113664 |
| 輸入/輸出數： | 160 |
| 門數： | 210000 |
| 電源電壓： | 2.3 V ~ 3.6 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 105°C |
| 封裝/外殼： | 256-BGA |
| 供應商設備封裝： | 256-FPBGA（17x17） |
| 其它名稱： | 220-1239 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁當前第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁
Lattice Semiconductor
ispXPGA Family Data Sheet
13
Figure 13. EBR Synchronous Read Timing Diagram
Synchronous Write: The WE signal controls the synchronous write operation. When the WE signal is high, the
write operation begins. Once the address and data are present and the Output Enable (OE) is active, a rising clock
edge (or falling edge depending on polarity) causes the data to be stored into the EBR. Figure 14 illustrates the
synchronous write timing.
Figure 14. EBR Synchronous Write Timing Diagram
Asynchronous Read: The WE signal controls the asynchronous read operation. When the WE signal is low, the
read operation begins. Shortly after the address is present, the stored data is available on the DATA port. Figure 15
illustrates the asynchronous read timing. For more information about the EBR, refer to TN1028 ispXPGA Memory
Figure 15. EBR Asynchronous Read Timing Diagram
WE
CLK
CE
DATA
ADDR
OE
Valid Data
Invalid Data
Valid Data
t
EBWEEN
t
EBADDS
t
EBCO
t
EBWES
t
EBCES
t
EBCPW
t
EBOEDIS
t
EBOEEN
t
EBCEH
t
EBWEH
t
EBWEDIS
t
EBADDH
WE
CLK
WRITE
DATA
ADDR
WRITE
t
EBWEH
t
EBADDS
t
EBADDH
t
EBDATAS
t
EBDATAH
t
EBPW
t
EBWES
WE
DATA
ADDR
OE
DATA1
Invalid Data
DATA1
ADDR0
ADDR1
ADDR2
DATA0
t
EBWEEN
t
EBARADO
t
EBOEDIS
t
EBOEEN
t
EBWEDIS
t
EBARAD_H
SELECT
DEVICES
DISCONTINUED
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCP500SN26T1 | IC REG LDO 2.6V .15A 5TSOP |
| RGM36DTMS-S189 | CONN EDGECARD 72POS R/A .156 SLD |
| RMM36DTMS-S189 | CONN EDGECARD 72POS R/A .156 SLD |
| VE-BWW-CV-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 150W |
| TAWD336K016R0600 | CAP TANT 33UF 16V 10% 2917 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LFX200EB-04FN516C | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 E-Ser210K Gt ispJTA G 2.5/3.3V -4 Spd RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| LFX200EB-04FN516I | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 E-Ser210K Gt ispJTA G 2.5/3.3V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| LFX200EB-05F256C | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 210K Gates, 160 I/O 2.5/3.3V, -5 speed RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| LFX200EB-05F516C | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 210K 208 I/O ispJTAG RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| LFX200EB-05FH516C | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 Use LFX200EB-05F516C RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。