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參數資料
| 型號： | LFX200EB-04FN256I |
| 廠商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件頁數： | 38/119頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 200K GATES 256-BGA |
| 標準包裝： | 90 |
| 系列： | ispXPGA® |
| 邏輯元件/單元數： | 2704 |
| RAM 位總計： | 113664 |
| 輸入/輸出數： | 160 |
| 門數： | 210000 |
| 電源電壓： | 2.3 V ~ 3.6 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 105°C |
| 封裝/外殼： | 256-BGA |
| 供應商設備封裝： | 256-FPBGA（17x17） |
| 其它名稱： | 220-1239 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁當前第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁
Lattice Semiconductor
ispXPGA Family Data Sheet
21
Absolute Maximum Ratings
1, 2, 3
1.8V
2.5V/3.3V
Supply Voltage (VCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 2.5V . . . . . . . . . .-0.5 to 5.5V
PLL Supply Voltage (VCCP) . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 2.5V . . . . . . . . . .-0.5 to 5.5V
Output Supply Voltage (VCCO) . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 4.5V . . . . . . . . . .-0.5 to 4.5V
IEEE 1149.1 TAP Supply Voltage (VCCJ) . . . . . . . -0.5 to 4.5V . . . . . . . . . .-0.5 to 4.5V
Input Voltage Applied
4, 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 5.5V . . . . . . . . . .-0.5 to 5.5V
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 to 150
C. . . . . . . . . -65 to 150C
Junction Temperature (TJ) with Power Applied . . -55 to 150C. . . . . . . . . -55 to 150C
1. Stress above those listed under the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. Functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification
is not implied (while programming, following the programming specifications).
2. Compliance with the Lattice Thermal Management document is required.
3. All voltages referenced to GND.
4. Overshoot and undershoot of -2V to (VIH (MAX) + 2) volts not to exceed 6V is permitted for a duration of <20ns.
5. A maximum of 64 I/Os per device with VIN > 3.6V is allowed.
Recommended Operating Conditions
E
2CMOS Erase Reprogram Specifications
Hot Socketing Characteristics
1, 2, 3, 4
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
VCC
Supply Voltage for 1.8V device
1
1.65
1.95
V
Supply Voltage for 2.5V device
2.3
2.7
V
Supply Voltage for 3.3V device
3.0
3.6
V
VCCP
Supply Voltage for PLL and sysHSI blocks, 1.8V devices
1
1.65
1.95
V
Supply Voltage for PLL and sysHSI blocks, 2.5V devices
2.3
2.7
V
Supply Voltage for PLL and sysHSI blocks, 3.3V devices
3.0
3.6
V
VCCJ
Supply Voltage for IEEE 1149.1 Test Access Port for LVCMOS 1.8V
1.65
1.95
V
Supply Voltage for IEEE 1149.1 Test Access Port for LVCMOS 2.5V
2.3
2.7
V
Supply Voltage for IEEE 1149.1 Test Access Port for LVCMOS 3.3V
3.0
3.6
V
TJ (COM)
Junction Temperature Commercial Operation
0
85
C
TJ (IND)
Junction Temperature Industrial Operation
-40
105
C
1. sysHSI specification is valid for VCC and VCCP = 1.7V to 1.9V.
Parameter
Min
Max
Units
Erase/Reprogram Cycle
1
1,000
—
Cycles
1. Valid over commercial temperature range.
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Units
IDK
Input or Tristated I/O Leakage Current 0 VIN 3.0V
—
+/-50
+/-800
A
1. Insensitive to sequence of VCC and VCCO when VCCO 1.0V. For VCCO > 1.0V, VCC min must be present. However, assumes monotonic
rise/fall rates for VCC and VCCO, provided (VIN - VCCO) 3.6V.
2. LVTTL, LVCMOS only.
3. 0 < VCC VCC (MAX), 0 < VCCO VCCO (MAX).
4. IDK is additive to IPU, IPD or IBH. Device defaults to pull-up until non-volatile cells are active.
SELECT
DEVICES
DISCONTINUED
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參數描述 |
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