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應用范圍:放大 | 品牌:TSC/臺半 | 型號:LT2020CT | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:..11 | 擊穿電壓VCBO:200 | 集電極最大允許電流ICM:20 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:..11 | 結構:肖特基 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:200

應用范圍:達林頓 | 品牌:ST/意法 | 型號:tip122 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220 | 集電極最大耗散功率PCM:標準 | 擊穿電壓VCBO:標準 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:標準 | 截止頻率fT:標準 | 結構:點接觸型 | 是否提供加工定制:是 | 封裝材料:金屬封裝

應用范圍:達林頓 | 品牌:進口 | 型號:GT35J321 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.1 | 集電極最大允許電流ICM:0.1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:0.1 | 結構:平面型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:0.1

應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:C4242 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:E13009 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:SANKEN | 型號:CTB34M | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:. | 擊穿電壓VCBO:40V | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:. | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝

種類:三極管 | 品牌:SANKEN | 型號:2SC3831

種類:三極管 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SA1988

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:E13007-2，E13007 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:JAPAN | 型號:C5243，C5244A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 集電極最大允許電流ICM:/ | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:/ | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:B1100 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220 | 最低起批量:1PC | 營銷方式:拆機 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:7M0880 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247

應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SD2012 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220

應用范圍:開關 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:E13009L J13009 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:B974 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:TO-220 | 最低起批量:1PC | 營銷方式:拆機 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:9NK60ZFP | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 擊穿電壓VCBO:0 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 截止頻率fT:0 | 結構:點接觸型 | 是否提供加工定制:是 | 封裝材料:金屬封裝

應用范圍:開關 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:C5027 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:1

應用范圍:振蕩 | 品牌:GE通用 | 型號:大功率超聲波晶體管 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:功率型 | 集電極最大耗散功率PCM:1000 | 集電極最大允許電流ICM:25 | 截止頻率fT:1

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:2SC3058 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:C3320 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 截止頻率fT:8