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應用范圍:放大 | 品牌:MOT.ON | 型號:MUR3020PT | 材料:硅(Si) | 產品類型:快恢復二極管 | 是否進口:否 | 是否提供加工定制:否

種類:三極管 | 品牌:MOSPEC | 型號:S20C40C

應用范圍:功率 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:B649 | 材料:硅(SI)

應用范圍:功率 | 品牌:富士電機 | 型號:C92-02C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:200 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝

應用范圍:功率 | 品牌:Sanken | 型號:C4140/C4139 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:/

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP053N08 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP030N06 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220

品牌:IR | 型號:IRFB4410Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK1938 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SD553 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SC2562 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SC3995 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SC3996 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3840 C3840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:A1598 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:TO-220 | 最低起批量:1PC | 營銷方式:拆機 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

應用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SC3306 | 材料:硅(Si)

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC3306，C3306 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:TO-3P

應用范圍:高反壓 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:C2073 C4242 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220 | 溝道類型:其他

應用范圍:開關 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC5200 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.1 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:V | 結構:平面型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:0.1

應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJE13005A | 材料:硅(Si) | 封裝:TO-220