應用范圍:放大 | 品牌:MOT.ON | 型號:MUR3020PT | 材料:硅(Si) | 產品類型:快恢復二極管 | 是否進口:否 | 是否提供加工定制:否
≥100 PCS
¥0.01
種類:三極管 | 品牌:MOSPEC | 型號:S20C40C
≥50 PCS
¥0.10
應用范圍:功率 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:B649 | 材料:硅(SI)
≥5000 PCS
¥0.15
應用范圍:功率 | 品牌:富士電機 | 型號:C92-02C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:200 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝
≥1000 PCS
¥0.45
應用范圍:功率 | 品牌:Sanken | 型號:C4140/C4139 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:/
應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP053N08 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
≥100 PCS
¥1.50
應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDP030N06 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
≥100 PCS
¥1.00
品牌:IR | 型號:IRFB4410Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥1.30
品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK1938 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥0.65
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SD553 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥100 個
¥0.18
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SC2562 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥100 個
¥0.22
品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SC3995 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥100 個
¥5.00
品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SC3996 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥100 個
¥6.00
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3840 C3840 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
100-499 個
¥0.80
≥500 個
¥0.60
應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:A1598 | 材料:硅(SI),硅(SI) | 封裝形式:TO-220 | 最低起批量:1PC | 營銷方式:拆機 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
≥1 個
¥0.70
應用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SC3306 | 材料:硅(Si)
≥200 PCS
¥0.75
應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC3306,C3306 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:TO-3P
應用范圍:高反壓 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:C2073 C4242 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220 | 溝道類型:其他
100-999 個
¥0.25
≥1000 個
¥0.20
應用范圍:開關 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC5200 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.1 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:V | 結構:平面型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:0.1
100-999 個
¥3.20
≥1000 個
¥3.00
應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJE13005A | 材料:硅(Si) | 封裝:TO-220
10-99 PCS
¥0.30
100-999 PCS
¥0.25
≥1000 PCS
¥0.22