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品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP034NE7N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPT004N03L IPT007N06N | 功率:1 | 用途:儀器 | 特色服務:A | 封裝:HSOF-8 | 批號:15

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPB147N03L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:078N12 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | ·:·

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP120N06N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP048N12N3G | 材料:其他 | 封裝形式:TO220

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPB072N15N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-263

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:04N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP034N03N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP032N06N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP057N06N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:054NE8N 045N10N 039N04L 015N04N 08CN10N 16CN10N 03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵