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- 大電流場效應(yīng)管IRFS4410
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFS4410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥200 個(gè)
  
  ￥1.20
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管大電流IRF9Z34N,IRF9Z34，全系列MOS管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF9Z34N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):5
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.30
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管 IGBT MOS管IRF540
  
  品牌:進(jìn)口拆機(jī) | 型號(hào):IRF540 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt晶體管大電流場效應(yīng)管 irf540場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管 IGBT MOS管IRFP250
  
  品牌:IRFP250 | 型號(hào):IRFP250 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:30 | 開啟電壓:200 | 夾斷電壓:200 | 低頻噪聲系數(shù):+- | 極間電容:+- | 最大耗散功率:+-
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt晶體管大電流場效應(yīng)管 irfp250場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.95
- 詢價(jià)
- IRFB3077PBF TO-220 封裝75V 120A 大電流MOS 管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB3077PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- 大電流MOS管 IRFB4410 100V 98A 拆板儀器加價(jià)
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB4410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 1000-4999 個(gè)
  
  ￥1.10
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥0.95
- 詢價(jià)
- 貼片大電流MOS管 IRL7833S IR品牌 L7833S 150A/30V NPN道 TO-263
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRL7833S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：貼片mos管
- 1-49 個(gè)
  
  ￥2.50
- 50-199 個(gè)
  
  ￥2.10
- ≥200 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- 超代價(jià)大電流場效應(yīng)管IRFZ46N IRRZ46
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ46N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 50-499 個(gè)
  
  ￥0.88
- 500-999 個(gè)
  
  ￥0.78
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.68
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管MTP50N06 50N06
  
  品牌:Motorola/摩托羅拉 | 型號(hào):MTP50N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 500-999 個(gè)
  
  ￥0.38
- 1000-1999 個(gè)
  
  ￥0.35
- ≥2000 個(gè)
  
  ￥0.28
- 詢價(jià)
- IR大電流場效應(yīng)管，MOS管IRFZ46N
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ46N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：拆機(jī)mos 大電流場效應(yīng)管
- ≥200 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管高緊密儀器IGBT MOS管IRFP460Z
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFP460Z | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt晶體管大電流場效應(yīng)管拆機(jī)場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.50
- 詢價(jià)
- IXFK220N15P 220N15 IXYS場效應(yīng)管大電流MOS管 220A 150V
  
  品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXFK220N15P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應(yīng)管
- ≥1 件
  
  ￥15.00
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管2SK3591
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK3591，K3591 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.80
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口大電流MOS管K1946 2SK1946
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K1946 2SK1946 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:45A | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:60 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數(shù):低 | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:50W
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- IR場效應(yīng)管IRFP4468 TO-247 大電流MOS管 195A/100V
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFP4468 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應(yīng)管
- ≥10 個(gè)
  
  ￥15.00
- 詢價(jià)
- IR大電流MOS管IRFZ44
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFZ44 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irfz44場效應(yīng)管 irfz44拆機(jī)
- 100-999 個(gè)
  
  ￥0.50
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)