品牌:IRF540 | 型號(hào):IRF540 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:TO220 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥100 個(gè)
￥0.55
品牌:IRF540N | 型號(hào):IRF540N | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:TO220 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥100 個(gè)
￥0.50
品牌:IRF530 | 型號(hào):IRF530 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:TO220 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥100 個(gè)
￥0.35
品牌:Federick美國(guó) | 型號(hào):FQP50N06 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.1 | 開(kāi)啟電壓:2 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:500 | 最大耗散功率:1
≥1 K
￥1.20
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP260N | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個(gè)
￥2.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP250N | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:-- | 批號(hào):-- | 封裝:TO-3P
≥500 個(gè)
￥0.95
品牌:ST/意法 | 型號(hào):IRF640 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:6* | 截止頻率fT:+-
≥20000 個(gè)
￥0.27
品牌:SI | 型號(hào):SI2301 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 電壓:-30V | 電流:-3A | 封裝:SOT-23
3000-29999 個(gè)
￥0.19
30000-119999 個(gè)
￥0.17
≥120000 個(gè)
￥0.15
品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):FP630 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥50 個(gè)
￥0.13
類(lèi)型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):65NF06 65NF06L | 功率:. | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝:. | 批號(hào):. | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥1000 個(gè)
￥0.35