品牌:萬代 | 型號:AOD417 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5
100-999 個
￥0.51
≥1000 個
￥0.50
品牌:萬代 | 型號:AOD409 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5
100-999 個
￥0.71
≥1000 個
￥0.70
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON6504 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途
1-99 個
￥1.00
≥100 個
￥0.85
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON6718L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
10-2999 個
￥0.65
≥3000 個
￥0.60
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOB20C60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-9 個
￥0.30
10-99 個
￥0.20
≥100 個
￥0.10