品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP034NE7N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-49 個(gè)
¥5.80
50-499 個(gè)
¥5.20
≥500 個(gè)
¥5.00
類(lèi)型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPT004N03L IPT007N06N | 功率:1 | 用途:儀器 | 特色服務(wù):A | 封裝:HSOF-8 | 批號(hào):15
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPB147N03L | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
¥1.00
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):078N12 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | ·:·
≥10 個(gè)
¥2.00
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP120N06N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
¥0.15
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP048N12N3G | 材料:其他 | 封裝形式:TO220
5-19 PCS
¥6.00
20-49 PCS
¥5.00
≥50 PCS
¥4.50
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPB072N15N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-263
≥100 PCS
¥2.50
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP034N03N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
≥100 PCS
¥0.60
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP032N06N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
≥100 PCS
¥0.90
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP057N06N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
≥100 PCS
¥0.70
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):054NE8N 045N10N 039N04L 015N04N 08CN10N 16CN10N 03 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
1-9 個(gè)
¥2.80
10-999 個(gè)
¥2.00
≥1000 個(gè)
¥1.50