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- IPP034NE7N大電流場(chǎng)效應(yīng)MOS管
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP034NE7N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- 1-49 個(gè)
  
  ￥5.80
- 50-499 個(gè)
  
  ￥5.20
- ≥500 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢價(jià)
- 英飛凌低壓大電流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)MOS管 IPT004N03L IPT007N06N
  
  類(lèi)型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPT004N03L IPT007N06N | 功率:1 | 用途:儀器 | 特色服務(wù):A | 封裝:HSOF-8 | 批號(hào):15
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：低壓大電流mos管英飛凌mos管低壓mos管
- 詢價(jià)
- IPB147N03L TO-263 貼片封裝MOS管低壓大電流
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPB147N03L | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：貼片低壓mos 低壓mos管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)MOS管078N12 ipp076N12控制器大電流專(zhuān)用
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):078N12 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | ·:·
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場(chǎng)效應(yīng)管大電流場(chǎng)效應(yīng) 控制器mos管
- ≥10 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- 大電流控制器場(chǎng)效應(yīng)管IPP120N06N K4145 K3435B
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP120N06N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個(gè)
  
  ￥0.15
- 詢價(jià)
- 大電流MOS管 IPP048N12N3G INFINEON 120V 100A
  
  應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP048N12N3G | 材料:其他 | 封裝形式:TO220
- 5-19 PCS
  
  ￥6.00
- 20-49 PCS
  
  ￥5.00
- ≥50 PCS
  
  ￥4.50
- 詢價(jià)
- 大電流MOS管場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)口英飛凌IPB072N15N
  
  應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPB072N15N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-263
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： to263場(chǎng)效應(yīng)管英飛凌mos管大電流場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥100 PCS
  
  ￥2.50
- 詢價(jià)
- 超大電流04N03
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):04N03 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- 50-499 個(gè)
  
  ￥1.00
- 500-999 個(gè)
  
  ￥0.60
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- 大電流MOS管場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)口英飛凌IPP034N03N
  
  應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP034N03N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場(chǎng)效應(yīng) 英飛凌mos管大電流場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥100 PCS
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- 大電流MOS管場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)口英飛凌IPP032N06N
  
  應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP032N06N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：英飛凌mos管大電流場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥100 PCS
  
  ￥0.90
- 詢價(jià)
- 大電流MOS管場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)口英飛凌IPP057N06N
  
  應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP057N06N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場(chǎng)效應(yīng)管英飛凌mos管
- ≥100 PCS
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口英飛凌大電流MOS管 054NE8N
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):054NE8N 045N10N 039N04L 015N04N 08CN10N 16CN10N 03 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：電子拆機(jī) 英飛凌mos管
- 1-9 個(gè)
  
  ￥2.80
- 10-999 個(gè)
  
  ￥2.00
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.50
- 詢價(jià)