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產品類型:場效晶體管 | 是否進口:是 | 品牌:Vishay/威世通 長電 | 型號:SI2300DS-T1-GE3 | 材料:鍺(Ge) | 封裝:23 | 工作溫度范圍:-（℃） | 功耗:- | 針腳數:- | 批號:14+

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI9430DY | 用途:HA/行輸出級 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 溝道類型:P溝道 | 種類:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SBD20C150F | 封裝:TO-220 | 批號:新年份

類型:其他IC | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ461 | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:/ | 結構:平面型 | 材料:硅(Si) | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:/ | 應用范圍:功率

類型:HIN202EIBNZ-T | 品牌:INTERSIL/英特矽爾 | 型號:HIN202EIBNZ-T | 功率:400ma | 封裝:SOP16 | 批號:11+

類型:其他IC | 品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:4N65F | 功率:0 | 封裝:SOT-252 | 批號:2015+

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2301 SI2301DS SI2302 SI2302DS | 功率:原裝數據 | 用途:音頻 | 封裝:SOT-23 | 批號:2015+

類型:其他IC | 品牌:SILAN | 型號:SVF4N65F | 功率:111 | 用途:錄像機 | 封裝:TO-220F | 批號:2014

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3568 | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:500 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:12 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 材料:硅(Si) | 溝道類型:其他 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:放大

類型:其他IC | 品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD1N60B | 封裝:TO-92 | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SIS412DN | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SIR840DP | 用途:DC/直流 | 封裝:qfn | 批號:00 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 種類:其他 | 溝道類型:N溝道

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SIR460DP | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI7716ADN | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI7456DP | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI7414DN | 用途:DC/直流 | 封裝:PowerPAK 1212-8 | 批號:10+ | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 種類:其他 | 溝道類型:N溝道

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI7129DN | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:P6NK60Z | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:600 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:6 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:80 | 結構:點接觸型 | 材料:硅(Si) | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:放大

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:F9530N IRF9530NPBF | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:14 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 材料:硅(Si) | 溝道類型:其他 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:100 | 應用范圍:放大

產品類型:場效晶體管 | 是否進口:是 | 品牌:Vishay/威世通 長電 | 型號:SI2321DS-T1-GE3 | 材料:鍺(Ge) | 封裝:23 | 工作溫度范圍:-（℃） | 功耗:- | 針腳數:- | 批號:14+