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類型:通信IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1723 | 電源電壓:220 | 封裝:DIPSOP | 批號:2012+ | 最大漏極電流:10 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數:10

類型:通信IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1652 | 電源電壓:220 | 封裝:DIPSOP | 批號:2012+ | 最大漏極電流:10 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數:10

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA38N30 | 用途:VA/場輸出級 | 最大漏極電流:38 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA9N90 FQA9N90C | 用途:L/功率放大 | 封裝:TO3P | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | .:. | 種類:結型(JFET)

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:P40NF03 FQP40NF03 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF9630PBF | 用途:L/功率放大 | 封裝:TO-220 | 批號:13+ | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH60-100 | 功率:22 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:TO3P | 批號:新年份 | 最大漏極電流:33 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數:33

類型:其他IC | 品牌:TSC/臺半 | 型號:SF2005PT | 功率:22 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 跨導:22 | 最大漏極電流:22 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2604 K2604 | 功率:22 | 用途:MW/微波 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 最大漏極電流:3 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數:33

類型:其他IC | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK2611 K2611 | 用途:HG/高跨導 | 封裝:TO3P | 批號:13 | 最大漏極電流:9A | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數:`

類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK2850 | 功率:22 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 最大漏極電流:22 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數:22

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA38N30 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLI540G | 用途:CC/恒流 | 封裝:to-220f | 最大漏極電流:標準 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數:標準

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLZ44A | 用途:DC/直流 | 最大漏極電流:29.0 | 跨導:25 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:100 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:100 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:425 | 最大耗散功率:218

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:W45NM60，45N60 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:IMBH60-100 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1358，2SK1358 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250PBF | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

類型:穩壓IC | 品牌:士蘭微原裝 | 型號:SVD1N60 | 功率:標準 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝:to-220f | 批號:2013+ | 最大漏極電流:標準 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數:標準

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:J103 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型