類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):1MBH60-100 | 功率:22 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝:TO3P | 批號(hào):新年份 | 最大漏極電流:33 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數(shù):33
≥1 個(gè)
￥18.00
類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK2850 | 功率:22 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝:TO220 | 批號(hào):新年份 | 最大漏極電流:22 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數(shù):22
≥1 個(gè)
￥4.00
類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):IMBH60-100 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):n | 極間電容:n
≥50 個(gè)
￥8.00
類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):MOSFET 2SK725 | 用途:DC/直流 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 封裝形式:TO-3P | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 應(yīng)用范圍:功率
≥1000 個(gè)
￥2.00
類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK2655 | 功率:3W | 用途:CC/恒流 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):12+ | 最大漏極電流:50 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數(shù):50
≥10 個(gè)
￥1.20
類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K724 | 用途:電視機(jī) | 封裝:拆機(jī)/散新 | 批號(hào):TO-3P
≥10 PCS
￥1.00
類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K1014 | 用途:電視機(jī) | 封裝:拆機(jī)/散新 | 批號(hào):TO-3P
≥10 個(gè)
￥1.00