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類型:其他IC | 品牌:APEC/富鼎 | 型號:72T02 72T02GH 60T03GH 60T02 | 功率:. | 用途:L/功率放大 | 封裝:sot252 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 種類:結型(JFET) | 屬性:.

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA9N90 FQA9N90C | 用途:L/功率放大 | 封裝:TO3P | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | .:. | 種類:結型(JFET)

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF9630PBF | 用途:L/功率放大 | 封裝:TO-220 | 批號:13+ | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FSDM0365RN | 功率:1 | 用途:L/功率放大 | 封裝:DIP-8 | 批號:11+ | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 低頻噪聲系數:1

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:W45NM60，45N60 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:IMBH60-100 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1358，2SK1358 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFS640 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:30 | 跨導:30 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:10 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:20 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:20 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:100

類型:其他IC | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:FS7SM16A | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:. | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.