類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFR9110 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 屬性:屬性值
≥50 個(gè)
￥1.20
類型:其他IC | 品牌:CET/華瑞 | 型號(hào):CEM9926A | 用途:MOS-HBM/半橋組件
≥100 個(gè)
￥0.44
類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):STB60NH02L | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥50 個(gè)
￥2.10
類型:其他IC | 品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK974 | 功率:22 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:SOT-252 | 批號(hào):新年份 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型
≥1 個(gè)
￥0.30
類型:其他IC | 品牌:TSC/臺(tái)半 | 型號(hào):SF2005PT | 功率:22 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:TO220 | 批號(hào):新年份 | 跨導(dǎo):22 | 最大漏極電流:22 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥1 個(gè)
￥2.00
類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SSH7N90 | 功率:22 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:TO-3P | 批號(hào):新年份 | 最大漏極電流:33 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數(shù):33
≥1 個(gè)
￥0.88