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類型:其他IC | 品牌:AUK | 型號:APA2020ARI-TR CM3843CSTR K3N4C1W2TD-GC12T00 ICQ968 | 用途:電視機 | 封裝:SMD | 批號:11+

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:VNB35N07 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:耗盡型

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SUD50N024-06P | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:APEC/富鼎 | 型號:72T02 72T02GH 60T03GH 60T02 | 功率:. | 用途:L/功率放大 | 封裝:sot252 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 種類:結型(JFET) | 屬性:.

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFS4321TRLPBF/IRFS4321 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI9430DY | 用途:HA/行輸出級 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 溝道類型:P溝道 | 種類:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:Matsuki Elec日本松木電機 | 型號:ME3443LT1 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝:0 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLL2703TRPBF | 用途:D/變頻換流 | 封裝:223 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 供應商類型:自主生產廠商

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLML2803TRPBF | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝:247 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 供應商類型:自主生產廠商

類型:其他IC | 品牌:AOS/美國萬代 | 型號:A03400 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝:SOT-23 | 批號:14+ | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 應用范圍:其他

類型:其他IC | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK1335 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF540NS | 功率:5 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝:SMD | 批號:2013 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

類型:其他IC | 品牌:松木 | 型號:ME9435 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1378 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:. | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1010E | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:80A110V | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

類型:其他IC | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:K3235 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:500 | 材料:P-FET硅P溝道 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1489.K1489 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:. | 材料:P-FET硅P溝道 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7424PBF | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:SOIC-8 | 批號:12 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET)

類型:其他IC | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK1588 | 用途:VA/場輸出級 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:1 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPS37N50A IRFPS37N50 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 最大漏極電流:11 | 跨導:0 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:50 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:11 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:11 | 極間電容:11 | 最大耗散功率:11