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類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ48 IRL48N | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:VNB35N07 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:耗盡型

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SUD50N024-06P | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFS4321TRLPBF/IRFS4321 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:FDPF10N50FT STP10NC50FP STP10NB50 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STP7NC70ZFP | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA38N30 | 用途:VA/場輸出級 | 最大漏極電流:38 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1

類型:其他IC | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK1335 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:松木 | 型號:ME9435 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1378 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:. | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1010E | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:80A110V | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:. | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA38N30 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLZ44A | 用途:DC/直流 | 最大漏極電流:29.0 | 跨導:25 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:100 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:100 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:425 | 最大耗散功率:218

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF12N60C，12N60 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:W45NM60，45N60 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:IMBH60-100 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SIS412DN | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SIR460DP | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI7716ADN | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI7456DP | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:其他 | 導電方式:增強型