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- 廣粵電子場效應(yīng)管IRFZ48 IRL48N 拆板
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ48 IRL48N | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強型
- ≥3000 個
  
  ￥0.45
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- FUJI富士進口1MBH60-100 大功率場效應(yīng)管1MBH60-100
  
  類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH60-100 | 功率:22 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:TO3P | 批號:新年份 | 最大漏極電流:33 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數(shù):33
- ≥1 個
  
  ￥18.00
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- IR場效應(yīng)管 IRFB3507場效應(yīng)管電動車控制器應(yīng)用場效應(yīng)管
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB3507 IRFB3507PBF | 功率:22 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:TO-220 | 批號:新年份 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型
- ≥1 個
  
  ￥2.80
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- 場效應(yīng)管2SK1489.K1489
  
  類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1489.K1489 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:. | 材料:P-FET硅P溝道 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:. | 導(dǎo)電方式:增強型 | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
- ≥50 個
  
  ￥8.50
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- IRF7424，IRF7424PBF，IR場效應(yīng)管，IGBT
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7424PBF | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:SOIC-8 | 批號:12 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET)
- ≥2000 個
  
  ￥2.00
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- IRFB3307 IRFB3307PBF IR場效應(yīng)管
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB3307 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:TO-220AB | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:75 | 種類:絕緣柵(MOSFET)
- ≥25 個
  
  ￥4.00
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- 仙童 FDMF6704V MOS場效應(yīng)管
  
  類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDMF6704V | 功率:22 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:SOPdip | 批號:新年份 | 最大漏極電流:11 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數(shù):11
- ≥1000 個
  
  ￥0.01
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- IR進口場效應(yīng)管IRF830STR ,IRF830STRPBF
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF830SPBF | 功率:1 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:TO-263 | 批號:11+ | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
- ≥10 個
  
  ￥2.00
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