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品牌:華之美 | 型號:HM30P55K | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 兼容:AOD413 | 封裝:TO-252

品牌:AO | 型號:AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AO | 型號:AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFR93A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 應用范圍:放大

品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PMBFJ177 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PMBFJ177 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTQ100N25P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:功放IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-264

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTQ82N25P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:功放IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-3P