品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:IRF840B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
￥0.42
品牌:IRF540 | 型號:IRF540 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:TO220 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥100 個
￥0.55
品牌:IRF540N | 型號:IRF540N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:TO220 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥100 個
￥0.50
品牌:IRF530 | 型號:IRF530 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:TO220 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥100 個
￥0.35
品牌:進口 | 型號:K3435/K80E08/K4145 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:/ | 開啟電壓:/ | 夾斷電壓:/
≥10000 個
￥0.19
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTQ96N15P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:96A | 開啟電壓:2.5-5 | 夾斷電壓:0 | 極間電容:6300 | 最大耗散功率:480W
≥30 個
￥15.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP260N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
￥2.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:-- | 批號:-- | 封裝:TO-3P
≥500 個
￥0.95
品牌:ST/意法 | 型號:IRF640 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:6* | 截止頻率fT:+-
≥20000 個
￥0.27
品牌:HYNIX/海力士 | 型號:HY1808 HY1808P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個
￥0.25
品牌:國產 | 型號:FP630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥50 個
￥0.13
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:進口原裝可提供PDF | 低頻噪聲系數:進口原裝可提供PDF | 極間電容:進口原裝可提供PDF
3000-4999 個
￥0.80
≥5000 個
￥0.70
品牌:ST/意法 | 型號:STD60NF55L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:08+ | 封裝:TO252
≥100 個
￥1.50
品牌:ST/意法 | 型號:STD30NF03L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥1.20